Наверх
Память UFS 3.0 сделает смартфоны в два раза быстрее
Консорциум JEDEC, отвечающий за развитие стандарта флеш-памяти Universal Flash Storage (UFS), анонсировал третью его версию. Серийные устройства с памятью UFS 3.0 появятся в конце 2018 – начале 2019 года.
Если стандарты UFS 2.0 (2013 год) и UFS 2.1 (2016) год предполагали пропускную способность по одной линии интерфейса на уровне 600 Мбайт/с, то UFS 3.0 дает уже 1,2 Гбайт/с. В шинах UFS всех версий по две линии интерфейса с поддержкой последовательной передачи данных, так что ранее можно было рассчитывать на 1,2 Гбайт/с, а с приходом UFS 3.0 – на 2,4 Гбайт/с. То есть он в два раза быстрее.
Также стоит отметить более скромные аппетиты UFS 3.0 в плане энергопотребления: для работы ему требуется 2,5 В против 2,7-3,6 В в случае предыдущих версий. Накопители, созданные в рамках UFS 3.0, могут работать при температуре от минус 40 до плюс 105 градусов Цельсия.
Накопители стандарта UFS обычно используются в топовых моделях смартфонов – Samsung семейства Galaxy S, LG серий V и G и так далее. Более доступные аппараты довольствуются заметно менее быстрой и в целом менее совершенной памятью стандарта eMMC.
