Наверх
Qualcomm и Samsung вместе поработают над флагманским чипсетом Snapdragon 835
В октябре 2016 года Samsung первой в индустрии анонсировала начало массового производства по техпроцессу 10 нм FinFET. По сравнению с предыдущим решением – 14 нм FinFET – 10 нм от Samsung увеличивает эффективную площадь поверхности на 30%, производительность – на 27%, а также обеспечивает снижение потребления энергии на 40%.
Компании Samsung и Qualcomm объявили о совместной работе над флагманским чипсетом для смартфонов следующего поколения – Snapdragon 835.
В октябре 2016 года Samsung первой в индустрии анонсировала начало массового производства по техпроцессу 10 нм FinFET. По сравнению с предыдущим решением – 14 нм FinFET – 10 нм от Samsung увеличивает эффективную площадь поверхности на 30%, производительность – на 27%, а также обеспечивает снижение потребления энергии на 40%. В Snapdragon 835 будет применяться именно техпроцесс 10 нм 10 нм FinFET от Samsung, что позволяет уменьшить размеры чипа, благодаря чему производители оборудования – смартфонов и планшетов смогут использовать освободившееся внутри устройств пространство, например, для установки более крупных и емких аккумуляторов.
Ожидается, что первые серийные устройства на базе Snapdragon 835 выйдут на рынок уже в первой половине 2017 года. Чипсет Snapdragon 835 является развитием Snapdragon 820 и 821, на базе которых реализовано уже более 200 моделей мобильных устройств.
