Наверх
Samsung Galaxy S10 может стать первым массовым смартфоном с 1 Тбайт памяти
Samsung анонсировала соответствующий накопитель, отличающийся не только внушительной вместительностью, но и весьма высокой скоростью
Samsung сообщила о разработке нового флеш-накопителя для смартфонов емкостью 1 Тбайт. В компании подчеркивают, что он будет использоваться в устройствах нового поколения; вероятнее всего, производитель имеет в виду модели серии Galaxy S10, которые будут представлены 20 февраля.
Новый накопитель выполнен в соответствии со стандартом Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) и обеспечивает скорость чтения до 1000 Мбайт/с. Это в два раза выше, чем у типичного компьютерного SSD с интерфейсом SATA, и примерно в десять раз выше, чем у среднестатистической MicroSD-карты.
Для сравнения: предыдущий топовый eUFS-модуль Samsung, представленный в ноябре 2017 года, обеспечивал скорость чтения до 860 Мбайт/с и имел емкость 512 Гбайт. Скорость случайного чтения составляла 42 тыс. IOPS, а в случае терабайтного накопителя она достигает 58 тыс. IOPS.
Произвольная запись в случае нового модуля на 1 Тбайт выполняется в 500 раз быстрее, чем позволяют высокопроизводительные карты MicroSD (100 IOPS), – ее скорость может достигать 50 тыс. IOPS.
Отметим, что на рынке уже есть смартфон с накопителем на 1 Тбайт – речь о топовой версии китайского Smartisan R1. Впрочем, эта модификация была выпущена крайне малым тиражом.
